图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:227500 |
|
最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
|||||||||||||||||||
#2 |
数量:33433 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
|
|||||||||||||||||||
#3 |
数量:14720 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 MUN(2,5)132, MMUN2132L, DTA143Exx, NSBA143EF3 |
| 文档 |
Copper Wire 29/Oct/2009 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Copper Wire Change 29/Oct/2009 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻 - 基地（R1）（欧姆） | 4.7k |
| 电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆） | 4.7k |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 15 @ 5mA, 10V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率转换 | - |
| 功率 - 最大 | 202mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC-70, SOT-323 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3 (SOT323) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 4.7k |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | SC-70-3 (SOT323) |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 4.7k |
| 功率 - 最大 | 202mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 封装/外壳 | SC-70, SOT-323 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 15 @ 5mA, 10V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 晶体管极性 | PNP |
| 配置 | Single |
| 典型输入电阻 | 4.7 KOhms |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 15 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 功率耗散 | 202 mW |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 连续集电极电流 | 0.1 A |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极 - 发射极电压 | 50 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装类型 | SC-70 |
| 引脚数 | 3 |
| 直流电流增益（最小值） | 15 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| 直流电流增益 | 15 |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 4.7k |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 15 @ 5mA, 10V |
| 封装/外壳 | SC-70, SOT-323 |
| 功率 - 最大值 | 202mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 4.7k |
| 宽度 | 1.24 mm |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 直流电流增益hFE最大值 | 15 |
| 长度 | 2.1 mm |
| 系列 | MUN5132 |
| 身高 | 0.85 mm |
| Pd - Power Dissipation | 202 mW |
MUN5132T1G也可以通过以下分类找到
MUN5132T1G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
